有关于双向可控硅的问题

现在随着固态继电器的使用面越来越宽广，它的维护也越来越重要。想请教一下：在实际生产中大电流双向可控硅（固态继电器的一种类型），除了短路或者接地现象，还有些什么原因造成它容易损坏？当然，这里不考虑厂家质量有问题！我公司使用的是电流80A左右，控制电压为DC20-35V，负载主要是电阻加热为主！

过电流（非短路电流）、过电压与温度过高都会引起击穿现象。

这里特别想问的是：PN结都有固定频率限制，如果开关双向可控硅，其频率的变化是否会是引起其损害的原因之一呢？

既然是固态继电器（SSR），应该是过零控制方式的多。但不管是过零还是移相，可控硅击穿与频率是没有影响的。
阻性负载：可控硅导通条件是：承受正向电压 触发电流，若一旦触发成功，拆去触发，只要正向电压不低于0.7V以下，都一直导通。假设控制周期为1S，在工频条件下，一个触发脉冲最少导通半个周波（若触发脉冲持续时间太短不足以触发，则为0），最多导通50个周波。你开关的频率再快， 也在这个范围之内；若是移相触发方式，则是正半周与负半周各给50个触发脉冲信号，只存在导通的角度问题、不存在频率快慢问题！

双向可控硅故障一般情况是由控制故障导致原件击穿或损坏，2、运行时的环境温度过高

不过提醒楼主一下，SSR固态继电器一般比平板式可控硅（尤其是反并方式）更加容易击穿，这个是我公司做调功柜十余年的经验总结！

楼上的朋友提到的问题有点意思啊！为什么会有这种情况发生呢？因为平板式的工艺制作更成熟吗？散热的问题都应该没有问题吧？

主要是散热问题，固态继电器的散热没有平板式可控硅方便，且体积也没有平板式可控硅大。可控硅对热是比较敏感的，温度上升性能降低很快！

楼上的朋友都总结了。基本两点，1.耐压。2.散热。
1.可控硅作为电力电子元件容易被尖峰电压击穿，所以在电路中应设置电压保护，如反向二级管及SDP等。
2.可控硅结构本质上是个自激放大电路通过PN节的导通来连接电路，PN节在导通状态下有0.5-0.7V的压降必然会产生大量的热。